manbetx登陆appSUNTSU频率控制SST75C温度补偿晶体振荡器

温度补偿晶体振荡器 - TCXO

manbetx登陆appSuntsu TCXO和VCTCXO可在通孔或表面贴装中提供,可供选择。我们提供许多不同的电压,可以提供具有阶层3条质的零件。从下面列出的数据表中挑出标准部件号,或联系我们的销售团队以请求您可能需要的任何自定义参数,我们将设计为您的特定需求。新万博科技服务

温度补偿晶体振荡器使用采样技术来校正晶体振荡器电路,其包装及其环境的温度缺陷。通常,校正技术涉及晶体坯料的运动电感和终端电容的物理和电学表征。其知识用于创建校正多​​项式或算法,或算法又在电路块中实现,并且比标准振荡器保持更好的稳定性。

系列 图像 逻辑 包裹 稳定性 电压 频率 卷轴 关键特点 数据表
STC22K. STC22K. 剪掉正弦波 2.5x2.0陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V,2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 13.000MHz-52.000MHz. 3K. 超小型包装,稳定性高 数据表下载
STC32C. STC32C. CMOS. 3.2x2.5陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±1.0ppm. 2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 6.000MHz - 40.000MHz. 3K. 超微型包装 数据表下载
STC32K. STC32K. 剪掉正弦波 3.2x2.5陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V,2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 6.000MHz - 40.000MHz. 3K. 超小型包装,稳定性高 数据表下载
STC53C. STC53C. CMOS. 5.0x3.2陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±1.0ppm. 2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 6.000MHz - 40.000MHz. 3K. 微型包装 数据表下载
STC53K. STC53K. 剪掉正弦波 5.0x3.2陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±1.0ppm. 2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 6.000MHz - 40.000MHz. 3K. 微型包装 数据表下载
STC75C. STC75C. CMOS. 7.0x5.0陶瓷SMD(10垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 3.3V,5.0V. 5.000MHz - 40.000MHz. 1K. 微型包,高稳定性 数据表下载
STC75K. STC75K TCXO 剪掉正弦波 7.0x5.0陶瓷SMD(10垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 3.3V,5.0V. 5.000MHz - 40.000MHz. 1K. 微型包,高稳定性 数据表下载
SST75C. SST75C TCXO CMOS. 7.0x5.0陶瓷SMD(10垫)(VC)TCXO ±0.14ppm 3.3V,5.0V. 5.000MHz-26.000MHz. 1K. 层3,电压控制 数据表下载
SST75K. SST75K TCXO 剪掉正弦波 7.0x5.0陶瓷SMD(10垫)(VC)TCXO ±0.14ppm 3.3V,5.0V. 5.000MHz-26.000MHz. 1K. 层3,电压控制 数据表下载
STCFSC. stcfsc tcxo. CMOS. 14针浸(VC)TCXO ±1.0ppm. 3.3V,5.0V. 1.000MHz - 800.000MHz. N / A. 宽频率范围 数据表下载
STCFSK. STCFSK TCXO 剪掉正弦波 14针浸(VC)TCXO ±1.0ppm. 3.3V,5.0V. 6.000MHz - 200.000MHz. N / A. 宽频率范围 数据表下载
SSTFSC. sstfsc tcxo. CMOS. 14针浸(VC)TCXO ±1.0ppm. 3.3V,5.0V. 2.000MHz - 40.000MHz. N / A. 层3,电压控制 数据表下载
SSTFSK. SSTFSK TCXO 剪掉正弦波 14针浸(VC)TCXO ±1.0ppm. 3.3V,5.0V. 2.000MHz - 40.000MHz. N / A. 层3,电压控制 数据表下载
SST20C. sst20c tcxo. CMOS. 20.0x20.0 DIP(VC)TCXO ±1.0ppm. 3.3V,5.0V. 2.000MHz - 150.000MHz. N / A. 层3,电压控制 数据表下载
STC21K. STC21K TCXO 剪掉正弦波 2.0x1.6陶瓷SMT(6垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V,2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 10.000MHz - 52.000MHz. 3K. 超微型包装 数据表下载
STC11K. STC11K. 剪掉正弦波 1.6x1.2陶瓷SMD(4垫)(VC)TCXO ±0.5ppm 1.8V,2.5V,2.7V,2.8V,3.0V,3.3V 26.000MHz - 52.000MHz. 3K. 微型包装 数据表下载

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    快速摘要

    特征 益处 制造地点 每月产能
    •紧密稳定性(低至0.5ppm) •STRATUM 3选项可用
    •表格因子低至2.0 x 1.6mm
    •可用的自定义配置
    • 中国
    •韩国
    •> 5米单位

    什么是tcxo?

    温度补偿晶体振荡器(TCXO)是一个专用类型的晶体振荡器,在特定电子设备所需时提供更高稳定性和精度的稳定性和精度。在标准晶体振荡器单元中,振荡频率变化响应于温度的增加而发生。这种频率的不稳定可以严重损害电子设备的整体功能。基本上,TCXO积极抵消任何温度变化对晶体振荡器频率稳定性的影响。这些晶体振荡器单元最常见于高温环境中。

    TCXOS如何工作?

    TCxOS为其频率稳定性能撬,包括它们如何抵抗和抵消外部温度的相当显着增加。在TCXO中,其温度补偿网络也称为热敏电阻网络,识别出指定范围之外的温度变化,并启动响应的频率稳定机制。温度变化使热敏电阻变化,这导致网络的等效电容变化。这又改变了晶体上的电容负载,导致振荡器的频率变化。

    TCXO有哪些优势?

    尽管标准晶体振荡器的耐受抗度的抵抗力和特定频率的维护,但它们仍然可能仍然受到温度变化。TCXO响应于温度变化有效地稳定振荡器的频率水平,这允许这种类型的晶体振荡器在具有可变温度的设置中使用而不牺牲性能或产生的显着运营费用。

    TCXO的常见类型是什么?

    常见类型的TCXO之间的区别基于每个振荡器用于抵消温度变化的机制类型。最常见的TCXO类型包括模拟数字TCXO,数字TCXO,DCXO和MCXO。

    tcxo与vctcxo.

    电压控制的温度补偿晶体振荡器(VCTCXO)是一种TCXO,可以通过依赖于响应于温度升高而依赖于应用模拟电压来维持和稳定其振荡频率。施加到VCTCXO的电压与温度变化完全相同,这保持了TCXO精度。

    TCXO解决方案

    TCXO为石英晶振荡器提供了解决方案,包括晶体老化和频率稳定性。代替将晶体内的晶体包围以保护它,而TCXO识别温度变化并通过在温度变化的精确逆时施加电压电流来稳定频率。此外,TCXOS旨在每六至12个月重新校准,这保护抗早熟的晶体老化。这就是为什么TCXO用于高质量的手机,平板电脑,GPS导航设备和便携式收音机。

    晶体振荡器的温度性能

    晶体振荡器易受频率漂移的影响,响应于其指定范围之外的长时间和显着的温度变化。尽管晶体振荡器可能能够暂时在其指定温度范围之外起作用,但建议不要用于振荡器单元和设备的性能和寿命。

    烤箱控制的晶体振荡器(OCXO)和TCXO之间有什么区别?

    虽然烤箱控制的晶体振荡器(OCXO)和TCxO都是热相关振荡装置,但TCXO提供了增强的频率稳定性保护,而不是温度升高,远小于OCXO。TCXO是需要稳定频率源的便携式电子设备的理想选择。

    A.设计

    OCXO大于TCXO和标准晶体振荡器,因为它们需要加热器为振荡器。TCXO更紧凑,因为它不与烤箱和绝缘层一起操作。而且,TCXO甚至可能甚至不需要密封件包围振荡器封装。TCXO的包装尺寸根据其功能而变化,但与其他振荡器选项相比,它们相对较小。

    B.功耗

    OCXO可以消耗大量功率,因为​​Oxco中的加热器通常需要来自额外源的电力而不是振荡器本身。启动后Oxco的内部温度的增加将减少操作所需的电力量。就TCXO电路设计而言,TCXO所需的附加电路感测并响应温度导致比标准振荡器更大的功耗。

    C.校准

    与Oxco不同,TCXO旨在以规则的间隔重置或重新校准。各个设备的规范将描述重新校准要求。该过程有助于避开水晶老化,这是其他晶体振荡器的寿命和稳定性的问题。

    经常问的问题

    TCXO是优选的晶体振荡器,特别是对于便携式电子设备,当涉及到保持其频率的稳定性时。其基于温度的稳定性机制使得不管温度的外部增加如何恒定地输出。

    晶体振荡器在抵抗外部温度变化并产生精确频率的能力方面被认为是准确可靠的。与LC谐振器电路相比,这尤其如此。其中一个专用类型的晶体振荡器是TCXO,提供了增强的反向频率变化。

    在合成器中发现模拟振荡器,也称为电压控制振荡器(VCOS),并通过以特定振荡频率和声音产生AC信号。为了调整模拟振荡器的频率,需要输入电压。由于它们的声音质量,VCOS在数字振荡器上首选,以获得更自然的声音。

    TCXO的重要元素包括其补偿网络,振荡器拉动电路,晶体振荡器电路,电压调节器和缓冲放大器。根据晶体的形状和切口,可以最小化温度对晶体振荡器的影响,但是温度控制的振荡器基于温度施加校正电压对振荡器的校正电压施加到频率变化具有更大的耐频率变化。

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